Renesas Electronics America 2SK2225-E

工厂交货时间

16 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3PFM, SC-93-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e2

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12 Ω @ 1A, 15V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

984.7pF @ 30V

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

1.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7A

高度

25.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant