Renesas Electronics America 2SK3430-AZ

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta 84W Tc

Turn Off Delay Time

170 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

110 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.3m Ω @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

上升时间

1.8μs

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

350 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

40V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅