Renesas Electronics America 2SK3484-AZ

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1W Ta 30W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

900pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.148Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant