70T659S12DRI
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Renesas Electronics America 70T659S12DRI

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型号

70T659S12DRI

utmel 编号

2038-70T659S12DRI

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

起订量

1最小包装量--

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70T659S12DRI
70T659S12DRI Renesas Electronics America 128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's

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70T659S12DRI详情

Renesas Electronics America 70T659S12DRI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    208

  • 终端数量

    208

  • Manufacturer Part Number

    70T659S12DRI

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Part Package Code

    PQFP

  • Package Description

    PLASTIC, QFP-208

  • Manufacturer Package Code

    DR208

  • Risk Rank

    5.21

  • Access Time-Max

    12 ns

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words

    131072 words

  • Number of Words Code

    128000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    FQFP

  • Package Equivalence Code

    QFP208,1.2SQ,20

  • Package Shape

    SQUARE

  • Package Style

    FLATPACK, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    2.5 V

  • Reflow Temperature-Max (s)

    20

  • RoHS

    Compliant

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    无

  • ECCN 代码

    3A991

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.5 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    208

  • JESD-30代码

    S-PQFP-G208

  • 资历状况

    不合格

  • Brand Name

    集成设备技术

  • 工作电源电压

    2.5 V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.6 V

  • 电源

    2.5,2.5/3.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.4 V

  • 最大电源电压

    2.6 V

  • 最小电源电压

    2.4 V

  • 端口的数量

    2

  • 电源电流

    395 mA

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.395 mA

  • 访问时间

    12 ns

  • 组织结构

    128KX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    4.1 mm

  • 内存宽度

    36

  • 地址总线宽度

    34 b

  • 密度

    4.5 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.02 A

  • 记忆密度

    4718592 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    36 b

  • 内存IC类型

    DUAL-PORT SRAM

  • 待机电压-最小值

    2.4 V

  • 长度

    28 mm

  • 宽度

    28 mm

  • 器件厚度

    3.5 mm

  • 辐射硬化

    无

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

70T659S12DRI拓展信息

GN1L4M-T1-A
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Renesas Electronics America

H5N2001LMTL-E
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Renesas Electronics America

HAF2021-90STR-E
HAF2021-90STR-E

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HA17432HLTPEL-E
HA17432HLTPEL-E

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HS1-26CT31RH-Q
HS1-26CT31RH-Q

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HXT5004A-DNT
HXT5004A-DNT

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HD74HCT1G08CME-E
HD74HCT1G08CME-E

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HD151TS302ARPEL-E
HD151TS302ARPEL-E

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HAT3015T-EL-E
HAT3015T-EL-E

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HD74HC245FPV-E
HD74HC245FPV-E

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