Renesas Electronics America 7164S45TDB

表面安装

NO

包装/外壳

CDIP-28

底架

通孔

引脚数

28

终端数量

28

Manufacturer Part Number

7164S45TDB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Part Package Code

CDIP

Package Description

DIP, DIP28,.3

Manufacturer Package Code

SD28

Risk Rank

5.37

Samacsys Description

CERDIP 300 MIL

Access Time-Max

45 ns

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words

8192 words

Number of Words Code

8000

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP28,.3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Shipping Restrictions

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Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Supply Voltage-Max

5.5 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

13

Supply Voltage-Min

4.5 V

Mounting Styles

通孔

Interface Type

Parallel

Part # Aliases

IDT7164S45TDB 7164

Brand

Renesas Electronics

RoHS

N

Memory Types

SDR

Usage Level

Military grade

系列

7164S45

包装

Tube

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

类型

Asynchronous

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8542.32.00.41

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

28

JESD-30代码

R-CDIP-T28

资历状况

不合格

Brand Name

集成设备技术

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

界面

Parallel

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

内存大小

64 kbit

端口的数量

1

电源电流

100 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.16 mA

访问时间

45 ns

组织结构

8KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

地址总线宽度

13 b

产品类别

SRAM

密度

64 kb

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

65536 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

8 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

产品类别

SRAM

宽度

7.62 mm

高度

3.56 mm

长度

37.72 mm

器件厚度

3.56 mm

辐射硬化

无

无铅

含铅