Renesas Electronics America HAT1069C-EL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

900mW Ta

操作温度

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52m Ω @ 1.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1380pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.093Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

RoHS状态

符合RoHS标准