Renesas Electronics America HAT2199R-EL-E

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOP

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

11

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSP0008DD-D8

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT2199R-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.79

Part Package Code

SOP

Drain Current-Max (ID)

11 A

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16.5mOhm @ 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1060 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11 A

漏极-源极导通最大电阻

0.025 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

场效应管特性

-