Rochester Electronics 2N3417_D27Z
- 收藏
- 对比
2N3417_D27Z
2071-2N3417_D27Z
分立半导体产品
--
大陆
立即发货

2N3417_D27Z datasheet pdf and Discrete Semiconductor Products product details from Rochester Electronics stock available at utmel
1最小包装量--
2N3417_D27Z详情
Rochester Electronics 2N3417_D27Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
hFEMin
180
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
50 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
625 mW
额定电流
500 mA
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
625 mW
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
500 mA
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
辐射硬化
无
无铅
无铅
2N3417_D27Z拓展信息
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics







哦! 它是空的。