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Rochester Electronics SGR2N60UFDTF

Name: SGR2N60UFDTF
Brand: Rochester Electronics
SKU: 2071-SGR2N60UFDTF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SGR2N60UFDTF

品牌

Rochester Electronics

utmel 编号

2071-SGR2N60UFDTF

商品类别

分立半导体产品

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3

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SGR2N60UFDTF详情

技术参数

Rochester Electronics SGR2N60UFDTF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
Collector-Emitter Saturation Voltage

2.1 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V
Voltage Rating (DC)

600 V
RoHS

Compliant
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

25 W
额定电流

1.2 A
元素配置

Single
功率耗散

25 W
集电极发射器电压(VCEO)

600 V
最大集电极电流

2.4 A
无铅

无铅

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