Rochester Electronics FGA25N120ANTD
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FGA25N120ANTD
2071-FGA25N120ANTD
分立半导体产品
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Insulated Gate Bipolar Transistor
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FGA25N120ANTD详情
Rochester Electronics FGA25N120ANTD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
312 W
极性
NPN
功率耗散
312 W
上升时间
50 ns
集电极发射器电压(VCEO)
1.2 kV
达到SVHC
无SVHC
FGA25N120ANTD拓展信息
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