Rochester Electronics 2N5770_D75Z
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2N5770_D75Z
2071-2N5770_D75Z
分立半导体产品
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2N5770_D75Z详情
Rochester Electronics 2N5770_D75Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15 V
hFEMin
20
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
15 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
350 mW
额定电流
50 mA
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
350 mW
集电极发射器电压(VCEO)
15 V
最大集电极电流
50 mA
增益
15 dB
集电极基极电压(VCBO)
30 V
发射极基极电压 (VEBO)
4.5 V
辐射硬化
无
无铅
无铅
2N5770_D75Z拓展信息
Rochester Electronics
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