Rochester Electronics BSR50_J35Z
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BSR50_J35Z
2071-BSR50_J35Z
分立半导体产品
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大陆
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BSR50_J35Z datasheet pdf and Discrete Semiconductor Products product details from Rochester Electronics stock available at utmel
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BSR50_J35Z详情
Rochester Electronics BSR50_J35Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45 V
hFEMin
1000
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
625 mW
极性
NPN
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
最大集电极电流
1.5 A
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
辐射硬化
无
BSR50_J35Z拓展信息
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