FJP13007H1TU
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Rochester Electronics FJP13007H1TU

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型号

FJP13007H1TU

utmel 编号

2071-FJP13007H1TU

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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FJP13007H1TU Rochester Electronics Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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FJP13007H1TU详情

Rochester Electronics FJP13007H1TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • 质量

    1.214 g

  • Case/Package

    TO-220

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    400 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1 V

  • hFEMin

    5

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Voltage Rating (DC)

    400 V

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    80 W

  • 额定电流

    8 A

  • 频率

    4 MHz

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    80 W

  • 增益带宽积

    4 MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    400 V

  • 最大集电极电流

    8 A

  • 最高频率

    4 MHz

  • 转换频率

    4 MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    700 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    9 V

  • 辐射硬化

    无

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

FJP13007H1TU拓展信息

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FQPF9N50C
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