Rochester Electronics FJP13007H1TU
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FJP13007H1TU
2071-FJP13007H1TU
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1最小包装量--
FJP13007H1TU详情
Rochester Electronics FJP13007H1TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
质量
1.214 g
Case/Package
TO-220
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
hFEMin
5
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
400 V
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
80 W
额定电流
8 A
频率
4 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
80 W
增益带宽积
4 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
400 V
最大集电极电流
8 A
最高频率
4 MHz
转换频率
4 MHz
集电极基极电压(VCBO)
700 V
发射极基极电压 (VEBO)
9 V
辐射硬化
无
无铅
无铅
FJP13007H1TU拓展信息
Rochester Electronics LLC
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