Rochester Electronics IPB065N06LG
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IPB065N06LG
2071-IPB065N06LG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263
1最小包装量--
IPB065N06LG详情
Rochester Electronics IPB065N06LG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
Voltage Rating (DC)
60 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
60 ns
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
250 W
额定电流
80 A
元素配置
Single
功率耗散
250 W
上升时间
21 ns
漏源电压 (Vdss)
60 V
连续放电电流(ID)
80 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
60 V
输入电容
5.1 nF
漏源电阻
6.5 mΩ
最大rds
6.2 mΩ
无铅
无铅
IPB065N06LG拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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Rochester Electronics
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