Rochester Electronics IPB260N06N3G
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IPB260N06N3G
2071-IPB260N06N3G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Mosfet N-ch 60V 27A TO263-3
1最小包装量--
IPB260N06N3G详情
Rochester Electronics IPB260N06N3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
13 ns
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
47 W
元素配置
Single
功率耗散
36 W
漏源电压 (Vdss)
40 V
连续放电电流(ID)
50 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
60 V
输入电容
2.1 nF
漏源电阻
26 mΩ
最大rds
9.3 mΩ
IPB260N06N3G拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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