Rochester Electronics IPI80CN10NG
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IPI80CN10NG
2071-IPI80CN10NG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262
1最小包装量--
IPI80CN10NG详情
Rochester Electronics IPI80CN10NG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
13 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
31 W
元素配置
Single
功率耗散
31 W
上升时间
4 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
13 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
100 V
输入电容
716 pF
漏源电阻
80 mΩ
最大rds
80 mΩ
IPI80CN10NG拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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