Rochester Electronics IPS12CN10LG
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IPS12CN10LG
2071-IPS12CN10LG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3 Tab) TO-251
1最小包装量--
IPS12CN10LG详情
Rochester Electronics IPS12CN10LG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
39 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
125 W
元素配置
Single
功率耗散
125 W
接通延迟时间
14 ns
上升时间
9 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
69 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
100 V
输入电容
5.6 nF
漏源电阻
11.8 mΩ
最大rds
11.8 mΩ
辐射硬化
无
IPS12CN10LG拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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