Rochester Electronics PN3563_D75Z
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PN3563_D75Z
2071-PN3563_D75Z
分立半导体产品
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PN3563_D75Z详情
Rochester Electronics PN3563_D75Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15 V
hFEMin
20
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
350 mW
频率
1.5 GHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
350 mW
增益带宽积
1.5 GHz
集电极发射器电压(VCEO)
15 V
最大集电极电流
50 mA
增益
26 dB
最高频率
1.5 GHz
转换频率
1.5 GHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
发射极基极电压 (VEBO)
2 V
连续集电极电流
50 mA
辐射硬化
无
PN3563_D75Z拓展信息
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