Rochester Electronics SGW6N60UFDTM
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SGW6N60UFDTM
2071-SGW6N60UFDTM
分立半导体产品
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大陆
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, D2PAK-3
1最小包装量--
SGW6N60UFDTM详情
Rochester Electronics SGW6N60UFDTM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
6 A
SGW6N60UFDTM拓展信息
Rochester Electronics
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