Rochester Electronics, LLC 2N5639

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

310mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10pF @ 12V VGS

漏源电压 (Vdss)

30V

漏极-源极导通最大电阻

60Ohm

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

4 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

35V

电阻-RDS(On)

60Ohm

RoHS状态

ROHS3 Compliant