Rochester Electronics, LLC 2SJ650

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 20W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

135m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.205Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48A

DS 击穿电压-最小值

60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant