Rochester Electronics, LLC BC858CDW1T1G
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BC858CDW1T1G
2071-BC858CDW1T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
1最小包装量--
BC858CDW1T1G详情
Rochester Electronics, LLC BC858CDW1T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装
SC-88/SC70-6/SOT-363
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
380mW
晶体管类型
2 PNP (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
频率转换
100MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC858CDW1T1G拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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