Rochester Electronics, LLC BSP315

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.8W

操作温度

150°C

零件状态

Obsolete

终止次数

4

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.8 Ω

漏源电压 (Vdss)

50V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4A

DS 击穿电压-最小值

50V

RoHS状态

ROHS3 Compliant