Rochester Electronics, LLC BSP88E6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

350mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

SIPMOS®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 350mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 108μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

95pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

240V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.35A

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.4A

DS 击穿电压-最小值

240V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant