Rochester Electronics, LLC BUZ31HXKSA1
- 收藏
- 对比
BUZ31HXKSA1
2071-BUZ31HXKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

N-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
BUZ31HXKSA1详情
Rochester Electronics, LLC BUZ31HXKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Power Dissipation (Max)
95W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SIPMOS®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.12pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
200V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUZ31HXKSA1拓展信息
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics, LLC
Rochester Electronics








哦! 它是空的。