Rochester Electronics, LLC CSD25401Q3
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CSD25401Q3
2071-CSD25401Q3
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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P-CHANNEL POWER MOSFET
1最小包装量--
CSD25401Q3详情
Rochester Electronics, LLC CSD25401Q3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件包装
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta 60A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
2.8W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.7mOhm @ 10A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.4pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
CSD25401Q3拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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