Rochester Electronics, LLC EMG2DXV5T5

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-553

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

哑光锡

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

COMMERCIAL

配置

COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

230mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

电阻基(R1)

47k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant