EMZ1DXV6T5
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Rochester Electronics, LLC EMZ1DXV6T5

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型号

EMZ1DXV6T5

utmel 编号

2071-EMZ1DXV6T5

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

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1最小包装量--

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EMZ1DXV6T5
EMZ1DXV6T5 Rochester Electronics, LLC SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

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EMZ1DXV6T5详情

Rochester Electronics, LLC EMZ1DXV6T5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 安装类型

    表面贴装

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    6

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 功率 - 最大

    500mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN和PNP

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    120 @ 1mA 6V

  • 最大集极截止电流

    500nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    60V

  • 转换频率

    180MHz

  • 频率转换

    180MHz 140MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC EMZ1DXV6T5.

EMZ1DXV6T5拓展信息

NJX1675PDR2G
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