Rochester Electronics, LLC FDB6021P

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

37W Tc

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

未说明

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 14A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.89pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28A

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant