Rochester Electronics, LLC FDB6670AL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

68W Tc

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2.44pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80A

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

114 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant