Rochester Electronics, LLC FDC699P
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FDC699P
2071-FDC699P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
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P-CHANNEL POWER MOSFET
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FDC699P详情
Rochester Electronics, LLC FDC699P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
镍钯金
端子位置
DUAL
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2.64pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏极-源极导通最大电阻
0.022Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDC699P拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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