Rochester Electronics, LLC FDD6778A
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FDD6778A
2071-FDD6778A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDD6778A详情
Rochester Electronics, LLC FDD6778A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Ta 10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.7W Ta 24W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
870pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12A
漏极-源极导通最大电阻
0.014Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
DS 击穿电压-最小值
25V
雪崩能量等级(Eas)
12 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDD6778A拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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