Rochester Electronics, LLC FDMB668P

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerWDFN

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

1.9W Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.1A Ta

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

TIN

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-N8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 6.1A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2.085pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

59nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.0061A

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

反馈上限-最大值 (Crss)

265 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

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