Rochester Electronics, LLC FDMS8660AS

表面安装

YES

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 104W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Ta 49A Tc

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

未说明

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-PDSO-N5

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1m Ω @ 28A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5.865pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

83nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28A

漏极-源极导通最大电阻

0.0021Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

726 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

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