Rochester Electronics, LLC FDMS8662
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FDMS8662
2071-FDMS8662
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDMS8662详情
Rochester Electronics, LLC FDMS8662重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A Ta 49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 83W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
未说明
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
引脚数量
240
JESD-30代码
R-PDSO-N5
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2m Ω @ 28A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6.42pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
MO-240AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
28A
漏极-源极导通最大电阻
0.002Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
726 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS8662拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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