FDMS8690
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Rochester Electronics, LLC FDMS8690

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型号

FDMS8690

utmel 编号

2071-FDMS8690

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerWDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-CHANNEL POWER MOSFET

起订量

1最小包装量--

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FDMS8690
FDMS8690 Rochester Electronics, LLC N-CHANNEL POWER MOSFET

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FDMS8690详情

Rochester Electronics, LLC FDMS8690重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerWDFN

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    14A Ta 27A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta 37.8W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    未说明

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-XDSO-N8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    9m Ω @ 14A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1.68pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    27nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    27A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.009Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    100A

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC FDMS8690.

FDMS8690拓展信息

PHK31NQ03LT,518
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IPP80N04S2H4AKSA2
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BUZ21
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FDN358P
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NDT3055
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FDV303N
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IRF9630
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FQU4N50TU
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FDS6630A
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