Rochester Electronics, LLC FDMS8690
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FDMS8690
2071-FDMS8690
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerWDFN
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDMS8690详情
Rochester Electronics, LLC FDMS8690重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta 27A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 37.8W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
端子表面处理
未说明
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-N8
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.68pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
27A
漏极-源极导通最大电阻
0.009Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100A
DS 击穿电压-最小值
100V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMS8690拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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