Rochester Electronics, LLC FDMS8692

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 28A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 41W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

未说明

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 12A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.265pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12A

漏极-源极导通最大电阻

0.009Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant