Rochester Electronics, LLC FDP8442
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FDP8442
2071-FDP8442
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDP8442详情
Rochester Electronics, LLC FDP8442重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
23A Ta 80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
254W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.1m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12.2pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
235nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
23A
漏极-源极导通最大电阻
0.0031Ohm
DS 击穿电压-最小值
40V
雪崩能量等级(Eas)
720 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDP8442拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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