Rochester Electronics, LLC FDS6162N3

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

3W Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

镍钯金

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 21A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5.521pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

73nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21A

漏极-源极导通最大电阻

0.0045Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant