Rochester Electronics, LLC FDS6572A
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FDS6572A
2071-FDS6572A
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
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FDS6572A详情
Rochester Electronics, LLC FDS6572A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16A Ta
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 16A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5.914pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
16A
漏极-源极导通最大电阻
0.006Ohm
DS 击穿电压-最小值
20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDS6572A拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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