Rochester Electronics, LLC FDT461N
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FDT461N
2071-FDT461N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDT461N详情
Rochester Electronics, LLC FDT461N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
540mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.13W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2 Ω @ 540mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
74pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.54A
漏极-源极导通最大电阻
2Ohm
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
6.3 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDT461N拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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