Rochester Electronics, LLC FDU2572

表面安装

NO

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

135W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta 29A Tc

系列

PowerTrench®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

未说明

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

54m Ω @ 9A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1.77pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.054Ohm

DS 击穿电压-最小值

150V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

unknown