Rochester Electronics, LLC FDU8876
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FDU8876
2071-FDU8876
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDU8876详情
Rochester Electronics, LLC FDU8876重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
安装类型
通孔
晶体管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
70W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Ta 73A Tc
系列
PowerTrench®
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.2m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1.7pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
15A
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
95 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDU8876拓展信息
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