Rochester Electronics, LLC FDZ209N

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-WFBGA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e2

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

端子表面处理

锡银

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

12

JESD-30代码

R-PBGA-B12

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 4A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

657pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant