Rochester Electronics, LLC FDZ7064N
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FDZ7064N
2071-FDZ7064N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
30-WFBGA
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N-CHANNEL POWER MOSFET
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FDZ7064N详情
Rochester Electronics, LLC FDZ7064N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
30-WFBGA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.2W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
30
端子表面处理
未说明
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
30
JESD-30代码
R-PBGA-B30
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 14.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3.843pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
13.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.007Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
FDZ7064N拓展信息
Rochester Electronics, LLC
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