Rochester Electronics, LLC FQA10N60C

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

表面安装

NO

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

192W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

730m Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2.04pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10A

漏极-源极导通最大电阻

0.73Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

700 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant