Rochester Electronics, LLC FQB25N33TM

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 250W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

附加功能

快速切换

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

230m Ω @ 12.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2.01pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 15V

漏源电压 (Vdss)

330V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

25A

漏极-源极导通最大电阻

0.23Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

DS 击穿电压-最小值

330V

雪崩能量等级（Eas）

370 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

Non-RoHS Compliant