Rochester Electronics, LLC FQD4N50TF

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

引脚数

3

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 45W Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Tc

系列

QFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.7 Ω @ 1.3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

460pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±30V

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant