Rochester Electronics, LLC FQE10N20CTU

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

12.8W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

QFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 2A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

漏极-源极导通最大电阻

0.36Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

320 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant