Rochester Electronics, LLC FQU8N25TU

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 50W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

NOT APPLICABLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 3.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

530pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.55Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24.8A

DS 击穿电压-最小值

250V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant